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特种气体用于太阳能电池的应用先容

宣布时间:2021-05-19 | 游览:2505

内容摘要:特种气体可以用于太阳能电池的应用,那么详细特种气体在太阳能电池中是怎么举行应用的 ?

特种气体可以用于太阳能电池的应用,那么详细特种气体在太阳能电池中是怎么举行应用的 ?

 1、太阳能电池的应用   1839年法国科学家E Becquerel发明液体的光生伏特效应(简称光伏效应) 。1954年, 美国贝尔实 验室研制出单晶硅太阳能电池。太阳能电池的原理是基于半导体的光伏效应, 将太阳辐射直接转换成 电能。在pn结的内建电场作用下, n区的空穴向p区运动, 而p区的电子向n区运动, 造成在太阳能电池 受光面(上外貌) 有大宗负电荷(电子) 积累, 而在电池背光面(下外貌) 有大宗正电荷(空穴) 积累。如在 电池上、下外貌做上金属电极, 并用导线接上负载, 在负载上就有电流通过。只要太阳光照一直, 负载 上就一直有电流通过。太阳能电池的应用首先是在太空领域。1958年, 美国首颗以太阳能电池作为信 号系统电源的卫星先锋一号发射上天。随后, 太阳能电池在照明、信号灯、汽车、电站等领域被普遍 接纳。特殊是与低温与特气LED手艺的团结, 给太阳能电池的普及带来了重大潜力。  

 2、晶体硅太阳能电池生产工艺和气体应用   商业化生产的晶体硅太阳能电池通常接纳多晶硅质料。硅片经由侵蚀制绒, 再置于扩散炉石英管 内, 用POCl3 扩散磷原子, 以在p型硅片上形成深度约015μm 左右的n 型导电区, 在界面形成pn结。随 后举行等离子刻蚀刻边, 去除磷硅玻璃。接着在受光面上通过PECVD制作减反射膜, 并通过丝网印刷 烧结工艺制作上下电极。  

 晶体硅电池片生产中的扩散工艺用到POCl3 和O2。减反射层PECVD工艺用到SiH4、NH3 , 刻蚀 工艺用到CF4。其爆发的化学反应划分为:   

  POCl3 +O2 → P2O5 +Cl2   

  P2O5 + Si → SiO2 + P  

  SiH4 + NH3 → SiNx:H +H2  

  CF4 + O2 + Si → SiF4 + CO2  

 3、薄膜太阳能电池生产工艺和气体应用   商业化生产的薄膜太阳能电池分为非晶硅( a2Si) 薄膜和非晶/微晶硅( a2Si /μc2Si) 叠层薄膜。后 者对太阳光的吸收使用更充分。其生产工艺是在玻璃基板上制造透明导电膜( TCO) 。一样平常通过溅射 或LPCVD的要领。然后再通过PECVD要领沉积p型、i型和n型薄膜。再用溅射做背电极。  

 非晶硅太阳能电池在LPCVD沉积TCO工序用到DEZn、B2H6 ; 非晶/微晶硅沉积工序用到SiH4、 PH3 /H2、TMB /H2、CH4、NF3 等。其爆发的化学反应划分为: 电话 地图 留言  

  Zn (C2H5 ) 2 + H2O → C2H6 + ZnO   

  SiH4 + CH4 → a2SiC: H + H2   

  SiH4 → a2Si: H  

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