宣布时间：2020-04-25 | 游览：3180
内容摘要：硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长质料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等 。
1、硅烷（SiH4）：有毒 。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长质料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等 。
2、锗烷（GeH4）：剧毒 。金属锗是一种优异的半导体质料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成州差别的硅锗合金用于电子元器件的制造 。
3、磷烷（PH3）：剧毒 。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源 。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP质料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中 。
4、砷烷（AsH3）：剧毒 。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂 。
5、氢化锑（SbH3）：剧毒 。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂 。
6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体 。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料 。
7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性 。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体 。
8、三氟化氮（NF3）：毒性较强 。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的洗濯 。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例 如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻 ；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀 刻 。
9、三氟化磷（PF3）：毒性极强 。作为气态磷离子注入源 。
10、四氟化硅（SiF4）：遇水天生侵蚀性极强的氟硅酸 。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的质料 。
11、五氟化磷（PF5）：在湿润的空气中爆发有毒的氟化氢烟雾 。用作气态磷离子注入源 。
12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的事情气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂 。
13、六氟乙烷（C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气 。
14、全氟丙烷（C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体 。
半导体工业常用的混淆气体
1、外延（生长）混淆气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的要领，生长一层或多层质料所用的气体叫作外延气体 。常用的硅外延气体有二 氯二氢硅（DCS）、四氯化硅（SiCl4）和硅烷等 。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等 。外 延是一种单晶质料淀积并生长在衬底外貌上的历程 。
2、化学气相淀积（CVD）用混淆气：CVD是使用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种要领，即应用气相化学反应的一种成膜要领 。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也差别 。
3、掺杂混淆气：在半导体器件和集成电路制造中，入口电子气体加微信号bluceren咨询相识 。将某些杂质掺入半导体质料内，使质料具有所需要的导电类 型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等 。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体 。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化 硼、乙硼烷等 。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混淆，混淆后气流一连注入扩散炉内并围绕晶片周围，在晶片外貌沉积上掺杂剂，进而与硅反应 天生掺杂金属而徙动进入硅 。
4、蚀刻混淆气：蚀刻就是将基片上无光刻胶遮蔽的加工外貌（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶遮蔽的区域生涯下来，以便在基片外貌上获得所需要 的成像图形 。蚀刻要领有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻 。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体 。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类），例如四氟化碳、三氟化 氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等 。
上一篇：天下气体工业巡回调研团走进福建
下一篇：手性能检测有毒气体，你信吗 ？
服务热线：
版权所有
华美娱乐联系地址：
福建省龙岩市上杭县蛟洋镇蛟洋工业集中区工业路6号
闽公网安备 35082302000172号
闽ICP备2021002793号-1
中文版
ENGLISH